台湾专利TW201322480A 發光二極體基座及其製造方法

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一種發光二極體基座及其製造方法。發光二極體基座的製造方法包括下列步驟：(a)提供矽基底；(b)於矽基底上形成罩幕層，以暴露出部分矽基底表面；(c)於暴露出之部分矽基底中形成第一氧化矽層；以及(d)移除該罩幕層及該第一氧化矽層，以於該矽基底中形成凹槽。
公开号:TW201322480A
申请号:TW100142007
申请日:2011-11-17
公开日:2013-06-01
发明作者:Le-Sheng Yeh；Cheng-I Chien
申请人:Episil Technologies Inc；
IPC主号:H01L33-00

专利说明:
發光二極體基座及其製造方法
本發明是有關於一種矽基座(submount)及其製造方法，且特別是有關於一種用於發光二極體(light emitting diode，LED)封裝之發光二極體基座及其製造方法。
發光二極體是一種由化合物半導體製作而成的發光元件，其經由半導體材料中的電子與電洞在結合時釋放能量，並將電能轉換成光的形式釋出。發光二極體屬於冷發光，因此具有耗電量低、無預暖燈時間、元件壽命長、驅動電壓低、反應速度快等優點，再加上其體積小、耐衝擊、適合量產，容易配合應用上的需求而可製成極小型式或陣列式元件，故常被應用至各種電器、資訊看板及通訊產品中作為發光元件。
一般而言，在發光二極體之封裝結構中，發光二極體晶片配置於基座的凹槽內。在理想狀況下，若發光二極體晶片所產生的光子能全部輻射至外界，則其發光效率極高。然而，實際上發光二極體晶片所產生的光子可能會因為各種損耗機制，無法百分之百傳播到外界。為了使發光二極體在未來有更大的應用空間和前景，如何提高發光二極體的發光亮度及效率是目前各界著重的研究之一。
本發明提供一種發光二極體基座及其製造方法，可不受限於晶格方向而於矽基底中形成具有所需設計的凹槽。
本發明提出一種發光二極體基座的製造方法，包括下列步驟：(a)提供矽基底；(b)於矽基底上形成罩幕層，以暴露出部分矽基底表面；(c)於暴露出之部分矽基底中形成第一氧化矽層；以及(d)移除該罩幕層及該第一氧化矽層，以於該矽基底中形成凹槽。
在本發明之一實施例中，上述之罩幕層包括墊氧化層以及氮化矽層，其中墊氧化層形成於矽基底與氮化矽層之間。
在本發明之一實施例中，藉由控制墊氧化層及氮化矽層的厚度比例可用於調整凹槽側壁之斜率或曲率。
在本發明之一實施例中，上述步驟(d)包括移除氮化矽層，以及移除墊氧化層及第一氧化矽層。
在本發明之一實施例中，在進行步驟(d)之後，更包括重複進行步驟(b)至步驟(d)至少一次。
在本發明之一實施例中，於重複進行步驟(b)時，罩幕層所暴露出的部分矽基底範圍與前次進行步驟(b)時的範圍實質上相同。
在本發明之一實施例中，於重複進行步驟(b)時，罩幕層所暴露出的部分矽基底範圍比前次進行步驟(b)時的範圍更往凹槽的中心內縮。
在本發明之一實施例中，上述步驟(c)包括進行熱氧化製程，以氧化未被罩幕層覆蓋之矽基底。
在本發明之一實施例中，在進行步驟(d)之後，更包括：進行離子植入製程，以於凹槽的部分側壁中形成多個植入區域；進行熱製程，以於植入區域中形成多個第二氧化矽層；以及移除第二氧化矽層，以於凹槽側壁上形成多個孔洞。
在本發明之一實施例中，上述之離子植入製程包括氧離子植入製程。
在本發明之一實施例中，上述之熱製程包括無氧熱製程。
在本發明之一實施例中，在進行步驟(d)之後，更包括於凹槽之底部形成平坦表面。
在本發明之一實施例中，在進行步驟(d)之後，更包括於矽基底的表面上共形地形成反射層。
本發明另提出一種發光二極體基座，用於承載發光二極體晶片。發光二極體基座包括矽基底以及反射層。矽基底具有凹槽，且凹槽具有弧形側壁。反射層覆蓋於弧形側壁上。
在本發明之一實施例中，上述之弧形側壁為連續彎曲面或由多個環狀結構所構成。
在本發明之一實施例中，上述之弧形側壁具有粗糙表面。
在本發明之一實施例中，上述之反射層的材料包括金屬。
基於上述，本發明之發光二極體基座及其製造方法藉由先在矽基底中形成氧化矽層，並接著移除此氧化矽層，因此能夠在矽基底中形成具有弧形側壁之凹槽，而不受限於矽基底的晶格方向。如此一來，將此發光二極體基座用於發光二極體的封裝結構可有助於減低光線損失，而提高發光二極體的發光亮度與發光效率，並調整光型。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1H是依照本發明之第一實施例之一種發光二極體基座的製造方法之剖面示意圖。圖2為圖1H所示之發光二極體基座結構中凹槽的立體示意圖，其中省略了反射層及發光二極體晶片。
請參照圖1A，提供矽基底102，且於矽基底102上形成罩幕層104。罩幕層104具有開口104a，暴露出部分矽基底102表面，以定義出後續預定形成凹槽的區域。在一實施例中，罩幕層104包括墊氧化層106及氮化矽層108，其中墊氧化層106位於矽基底102與氮化矽層108之間，以增加氮化矽層108與矽基底102之間的附著性。墊氧化層106可採用熱氧化法形成，而氮化矽層108可採用化學氣相沈積法(CVD)形成。罩幕層104的形成方法例如是先於矽基底102上依序形成墊氧化層、氮化矽層及圖案化光阻層(未繪示)，接著以圖案化光阻層為罩幕進行蝕刻製程，以圖案化墊氧化層及氮化矽層而形成開口104a，之後移除圖案化光阻層。
請參照圖1B，於暴露出之部分矽基底102中形成氧化矽層110。氧化矽層110的形成方法例如是進行熱氧化製程T1，以氧化未被罩幕層104覆蓋之矽基底102表面(亦即開口104a所暴露之矽基底102表面)，而於開口104a中生成氧化物作為氧化矽層110。熱氧化製程T1例如是應用矽局部氧化(local oxidation of silicon，LOCOS)之技術。
在此說明的是，利用LOCOS技術生成氧化物會經由程度不同的氧化作用，且使得氧化矽層110與矽基底102之間例如是具有弧狀交界(如圖1B所示)。此外，由於在罩幕層104的邊緣處氧分子仍會有水平方向的擴散，因此位於罩幕層104邊緣下方的矽基底102中也會生成氧化物，造成罩幕層104的邊緣因應力作用而向上翹起，而最終形成所謂的鳥嘴(bird's beak)結構。
請參照圖1C，移除罩幕層104及氧化矽層110，而於矽基底102中形成凹槽112。在一實施例中，移除罩幕層104及氧化矽層110的方法例如是先進行濕式蝕刻製程以移除氮化矽層108，再進行另一濕式蝕刻製程以同時移除墊氧化層106及氧化矽層110。上述移除氮化矽層108的製程中可以使用磷酸作為蝕刻液，而移除墊氧化層106及氧化矽層110的製程中可以使用緩衝氧化蝕刻劑(buffer oxide etchant，BOE)或經稀釋之氫氟酸(diluted hydrofluoric acid，DHF)作為蝕刻液。
值得一提的是，當未利用LOCOS技術而直接使用如氫氧化鉀(KOH)等蝕刻液對矽基底進行蝕刻而形成凹槽時，通常會由於矽材料的晶格方向，使得蝕刻出的凹槽側壁皆為具有固定角度之傾斜平面，因此大幅限制凹槽的形狀及結構，而無法形成類似圓形或具有曲面的凹槽。然而，本發明實施例應用LOCOS所形成之氧化矽層110與矽基底102之間的界面為弧形，因此在移除氧化矽層110後所形成之凹槽112則是對應地具有弧形側壁，且凹槽形狀可依需求設計，不受限於晶格方向。
此外，藉由適當選擇墊氧化層106及氮化矽層108的厚度比例及調整氧化時間與氧化溫度，可以控制氧化矽層110邊緣之鳥嘴結構的形成程度，因而能夠達到調整凹槽112側壁之斜率或曲率的效果。
在一實施例中，為了在矽基底102中形成深度更深或側壁斜率、曲率更大的凹槽，在形成凹槽112之後，還可以選擇性地重複進行至少一次類似圖1A至圖1C所示之流程，以獲得具有所需構形之凹槽。
請參照圖1D，在形成凹槽112之後，於矽基底102上再次形成罩幕層114，且罩幕層114例如是暴露出位於凹槽112處的矽基底102表面。在一實施例中，罩幕層114所暴露出的矽基底102範圍與圖1A所示之罩幕層104的範圍例如是實質上相同。此外，罩幕層114的材料例如是類似或相同於罩幕層104，其包括墊氧化層116及氮化矽層118。
之後，進行熱氧化製程T2，以氧化未被罩幕層114覆蓋之矽基底102表面，而於先前凹槽112處形成氧化矽層120。在此實施例中，熱氧化製程T2例如是以LOCOS技術來進行。類似地，利用LOCOS形成的氧化矽層120與矽基底102之間亦具有弧狀交界以及在氧化矽層120邊緣會生成鳥嘴結構。
請參照圖1E，移除罩幕層114及氧化矽層120，而於矽基底102中形成凹槽122。在一實施例中，移除罩幕層114及氧化矽層120的方法可以類似或相同於圖1C所示之移除罩幕層104及氧化矽層110的方法，故於此不再贅述。由於利用LOCOS生成的氧化矽層120亦會形成在位於凹槽112處的基底102中(如圖1D所示)，因此經由移除氧化矽層120所形成的凹槽122位置例如是大致位於圖1C形成之凹槽112處。然而，兩者之間的差異主要是在於凹槽122的深度更深，且其側壁之斜率或曲率可以更大。
請參照圖1F，於矽基底102上再次形成罩幕層124，以暴露出位於凹槽122處的矽基底102表面。在一實施例中，罩幕層124所暴露出的矽基底102範圍與圖1A、1D所示之罩幕層104、114的範圍例如是實質上相同。此外，罩幕層124的材料例如是類似或相同於罩幕層104，其包括墊氧化層126及氮化矽層128。之後，進行熱氧化製程T3，以氧化未被罩幕層124覆蓋之矽基底102表面，而於先前凹槽122處形成氧化矽層130。熱氧化製程T3例如是以LOCOS技術來進行。
請參照圖1G，移除罩幕層124及氧化矽層130，而於矽基底102中形成凹槽132。如此一來，藉由移除氧化矽層130所形成的凹槽132位置例如是大致位於先前形成之凹槽122處，但凹槽132的深度更深且其側壁之斜率或曲率可以更大。在一實施例中，移除罩幕層124及氧化矽層130的方法可以類似或相同於圖1C所示之移除罩幕層104及氧化矽層110的方法。
在此說明的是，雖然上述實施例是以反覆進行3次LOCOS及濕式蝕刻製程以於矽基底102中形成凹槽132為例來進行說明，但進行上述LOCOS及濕式蝕刻製程循環的重複次數可以依最終所需的凹槽構形而決定。如圖1G及圖2所示，在此實施例中，最後形成的凹槽132例如是具有弧形側壁，且弧形側壁可以是連續彎曲面。
此外，為了將發光二極體晶片配置於凹槽內而完成發光二極體之封裝結構，凹槽之底部較佳是具有平坦表面，以利發光二極體晶片的安置。請參照圖1H，在形成凹槽132之後，選擇性地於凹槽132之底部形成平坦表面。具體而言，於凹槽132底部形成平坦表面的方法例如是進行下列步驟：先於基底102上形成罩幕層(未繪示)，且罩幕層至少暴露出後續預定安置發光二極體晶片的區域；進行濕式蝕刻製程，以移除被暴露出的部分基底102，而於凹槽132底部形成具有平坦表面的凹陷部134；接著再移除罩幕層。在一實施例中，上述罩幕層的材料例如是氮化矽，且濕式蝕刻製程例如是使用KOH作為蝕刻液，因而能夠使蝕刻出的凹陷部134因矽晶格方向而具有所需的平坦表面。在另一實施例中，若是在完成所需凹槽的製作(如凹槽132)後，凹槽本身底部即為平坦表面，則可省略形成凹陷部134的步驟。
之後，於凹槽132及凹陷部134的側壁上形成反射層136，反射層136例如是共形地覆蓋在基底102的整個表面上。由於反射層136具有極佳的反射性，因此可有助於減少後續預定要封裝之發光二極體的光線損失，而提高光提取效率。反射層136的材料可以是金屬，如金、銀或鋁系銅，且其形成方法可採用濺鍍法。至此，已大致完成發光二極體基座100的製作。隨之，選擇性地於凹陷部134的平坦表面上設置發光二極體晶片C，並進行後續的封裝步驟，以使發光二極體基座100用於發光二極體的封裝結構中。
圖3A至圖3E是依照本發明之第二實施例之一種發光二極體基座的製造方法之剖面示意圖，其中圖3A是接續在圖1C之後所進行的製程步驟，且與前述相同的構件則使用相同的標號並省略其說明。圖4為圖3E所示之發光二極體基座結構中凹槽的立體示意圖，其中省略了反射層及發光二極體晶片。
請參照圖3A，在形成凹槽112之後，於矽基底102上再次形成罩幕層314，且罩幕層314例如是暴露出位於凹槽112處的部分矽基底102表面。在一實施例中，罩幕層314所暴露出的矽基底102範圍例如是小於圖1A所示之罩幕層104的範圍。換言之，罩幕層314會覆蓋在位於凹槽112處的部分矽基底102表面上。此外，罩幕層314的材料例如是類似或相同於罩幕層104，其包括墊氧化層316及氮化矽層318。
之後，進行熱氧化製程T2，以氧化未被罩幕層314覆蓋之矽基底102表面，而於先前凹槽112處形成氧化矽層320。在此實施例中，熱氧化製程T2例如是以LOCOS技術來進行。
請參照圖3B，移除罩幕層314及氧化矽層320，而於矽基底102中形成凹槽322。如此一來，藉由移除氧化矽層320所形成的凹槽322位置例如是形成在先前形成之凹槽112的範圍內部，且凹槽322的深度更深。在一實施例中，移除罩幕層314及氧化矽層320的方法可以類似或相同於圖1C所示之移除罩幕層104及氧化矽層110的方法，故於此不再贅述。
請參照圖3C，於矽基底102上再次形成罩幕層324，以暴露出位於凹槽322處的部分矽基底102表面。在一實施例中，罩幕層324所暴露出的矽基底102範圍例如是又小於圖3A所示之罩幕層314的範圍，亦即罩幕層324會覆蓋在位於凹槽322處的部分矽基底102表面上。此外，罩幕層324的材料例如是類似或相同於罩幕層104，其包括墊氧化層326及氮化矽層328。
之後，進行熱氧化製程T3，以氧化未被罩幕層324覆蓋之矽基底102表面，而於先前凹槽322處形成氧化矽層330。熱氧化製程T3例如是以LOCOS技術來進行。
請參照圖3D，移除罩幕層324及氧化矽層330，而於矽基底102中形成凹槽332。如此一來，藉由移除氧化矽層330所形成的凹槽332位置例如是形成在先前形成之凹槽322的範圍內部，且凹槽332的深度更深。在一實施例中，移除罩幕層324及氧化矽層330的方法可以類似或相同於圖1C所示之移除罩幕層104及氧化矽層110的方法。
請參照圖3E，在形成凹槽332之後，選擇性地於凹槽332之底部形成平坦表面。於凹槽332底部形成平坦表面的方法例如可利用圖1H所示之方法使用KOH作為蝕刻液進行濕式蝕刻製程，而於凹槽332底部形成具有平坦表面的凹陷部334。在另一實施例中，若是凹槽332本身底部即為平坦表面，則可省略形成凹陷部334的步驟。
之後，於凹槽332及凹陷部334的側壁上形成反射層336，反射層336例如是共形地覆蓋在基底102的整個表面上，以大致完成發光二極體基座300的製作。接著，擇性地於凹陷部334的平坦表面上設置發光二極體晶片C，並進行後續的封裝步驟，以使發光二極體基座300用於發光二極體的封裝結構中。
如圖3D及圖4所示，在此實施例中，藉由進行熱氧化製程所使用的罩幕層覆蓋範圍逐次小於前一次的罩幕層覆蓋範圍，因此不僅能夠加深凹槽深度，還可以使最後形成的凹槽輪廓具有多個環狀結構R。在此實施例中，最後形成的凹槽332例如是具有弧形側壁，且弧形側壁可以是由多個環狀結構R所構成。
圖5A至圖5D是依照本發明之第三實施例之一種發光二極體基座的製造方法之剖面示意圖，其中圖5A是接續在圖1G之後所進行的製程步驟，且與前述相同的構件則使用相同的標號並省略其說明。圖6為圖5D所示之發光二極體基座結構中凹槽的立體示意圖，其中省略了反射層及發光二極體晶片。
請參照圖5A，在形成凹槽132之後，進行離子植入製程I，以於該凹槽132的部分側壁中形成多個植入區域502。在一實施例中，離子植入製程I例如是在基底102中植入氧離子。此外，離子植入製程I可以搭配圖案化光阻定義植入區域，而對圖案化光阻所暴露出的區域進行垂直植入或是傾斜角植入。
請參照圖5B，進行熱製程T4，以於植入區域502中形成氧化矽層504。在進行熱製程T4時，已植入氧離子的植入區域502會比未被植入氧離子的部分基底102更容易生成氧化物，因此藉由控制熱製程T4的反應溫度及反應時間，可以使氧化矽層504僅形成在植入區域502處。在一實施例中，熱製程T4例如是無氧熱製程。
請參照圖5C，移除氧化矽層504，而於凹槽132的側壁上形成孔洞506。移除氧化矽層504的方法例如是進行濕式蝕刻製程，其可使用緩衝氧化蝕刻劑(BOE)或經稀釋之氫氟酸(DHF)作為蝕刻液。在此實施例中，最後形成的凹槽132’例如是具有弧形側壁，且弧形側壁上形成有孔洞506因而具有粗糙表面。
請參照圖5D，在形成凹槽132’之後，類似前述可選擇性地於凹槽132’之底部形成具有平坦表面的凹陷部134。之後，於凹槽132’及凹陷部134的側壁上形成反射層136，反射層136例如是共形地覆蓋在基底102的整個表面上，以大致完成發光二極體基座500的製作。
如圖5C及圖6所示，在此實施例中，藉由在大致形成凹槽主體後依序進行離子植入製程I及熱製程T4，以於植入區域502中形成氧化矽層504。因此，在移除氧化矽層504之後即可形成孔洞506，而使最後形成的凹槽132’的弧形側壁具有粗糙表面。此外，不僅弧形凹槽的形狀不必受限於矽材料的晶格方向，孔洞506亦可依需求而具有如弧形輪廓等而不受限於晶格方向。
須注意的是，在上述三個實施例中是以重複多次移除熱氧化製程所形成之氧化矽層為例來進行說明，但本發明並不以此為限。熟習此技藝者應了解，本發明可以藉由LOCOS及離子植入技術的搭配使用控制氧化矽層的形成位置、深度、曲率等，以決定移除氧化矽層後的凹槽輪廓，而獲得具有所需弧形側壁的凹槽。如此一來，將具有上述凹槽的發光二極體基座應用於發光二極體的封裝時，能夠有效控制發光二極體晶片射出的光線並減低光線損失，且依需求調整光型，以進一步提升亮度與發光效率。
以下將以圖1H、圖3E及圖5D為例，對本發明之發光二極體基座結構加以說明。請參照圖1G、圖3E及圖5D，發光二極體基座100、300、500分別包括矽基底102以及反射層136、336，其是用於承載發光二極體晶片C。在發光二極體基座100、300、500中的矽基底102分別具有凹槽132、332、132’，且凹槽132、332、132’具有弧形側壁。反射層136、336則分別覆蓋於凹槽132、332、132’的弧形側壁上。
如圖1G及圖2所示，在一實施例中，凹槽132的弧形側壁可以是連續彎曲面。在一實施例中，如圖3E及圖4所示，凹槽332的弧形側壁可以是由多個環狀結構R所構成。在一實施例中，如圖5D及圖6所示，凹槽132’的弧形側壁例如是形成有孔洞506而具有粗糙表面。
綜上所述，本發明之發光二極體基座及其製造方法利用熱氧化製程於矽基底中形成氧化矽層，並接著移除此氧化矽層而於矽基底中形成具有弧形側壁之凹槽，因此可不受限於矽材料的晶格方向而依需求設計凹槽構形。此外，藉由控制LOCOS技術所形成的鳥嘴結構或是額外進行離子植入製程，可有助於調整所需的凹槽輪廓。因此，使用本發明之發光二極體基座承載發光二極體晶片能夠有效提高發光二極體的亮度與發光效率，且依需求調整光型。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、300、500．．．發光二極體基座
102．．．矽基底
104、114、124、314、324．．．罩幕層
104a．．．開口
106、116、126、316、326．．．墊氧化層
108、118、128、318、328．．．氮化矽層
110、120、130、320、330、504．．．氧化矽層
112、122、132、132’、322、332．．．凹槽
134、334．．．凹陷部
136、336．．．反射層
502．．．植入區域
506．．．孔洞
C．．．發光二極體晶片
I．．．離子植入製程
R．．．環狀結構
T1、T2、T3．．．熱氧化製程
T4．．．熱製程
圖1A至圖1H是依照本發明之第一實施例之一種發光二極體基座的製造方法之剖面示意圖。
圖2為圖1H所示之發光二極體基座結構中凹槽的上視示意圖。
圖3A至圖3E是依照本發明之第二實施例之一種發光二極體基座的製造方法之剖面示意圖。
圖4為圖3E所示之發光二極體基座結構中凹槽的上視示意圖。
圖5A至圖5D是依照本發明之第三實施例之一種發光二極體基座的製造方法之剖面示意圖。
圖6為圖5D所示之發光二極體基座結構中凹槽的上視示意圖。
100．．．發光二極體基座
102．．．矽基底
132．．．凹槽
134．．．凹陷部
136．．．反射層
C．．．發光二極體晶片

权利要求:
Claims (18)
[1] 一種發光二極體基座的製造方法，包括：(a)提供一矽基底；(b)於該矽基底上形成一罩幕層，以暴露出部分該矽基底表面；(c)於暴露出之部分該矽基底中形成一第一氧化矽層；以及(d)移除該罩幕層及該第一氧化矽層，以於該矽基底中形成一凹槽。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體基座的製造方法，其中該罩幕層包括一墊氧化層以及一氮化矽層，其中該墊氧化層形成於該矽基底與該氮化矽層之間。
[3] 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體基座的製造方法，其中藉由控制該墊氧化層及該氮化矽層的厚度比例來調整該凹槽側壁之斜率或曲率。
[4] 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體基座的製造方法，其中步驟(d)包括：移除該氮化矽層；以及移除該墊氧化層及該第一氧化矽層。
[5] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體基座的製造方法，其中在進行步驟(d)之後，更包括重複進行步驟(b)至步驟(d)至少一次。
[6] 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體基座的製造方法，其中於重複進行步驟(b)時，該罩幕層所暴露出的部分該矽基底範圍與前次進行步驟(b)時的範圍實質上相同。
[7] 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體基座的製造方法，其中於重複進行步驟(b)時，該罩幕層所暴露出的部分該矽基底範圍比前次進行步驟(b)時的範圍更往該凹槽的中心內縮。
[8] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體基座的製造方法，其中步驟(c)包括進行一熱氧化製程，以氧化未被該罩幕層覆蓋之該矽基底。
[9] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體基座的製造方法，其中在進行步驟(d)之後，更包括：進行一離子植入製程，以於該凹槽的部分側壁中形成多個植入區域；進行一熱製程，以於該些植入區域中形成多個第二氧化矽層；以及移除該些第二氧化矽層，以於該凹槽側壁上形成多個孔洞。
[10] 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體基座的製造方法，其中該離子植入製程包括氧離子植入製程。
[11] 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體基座的製造方法，其中該熱製程包括無氧熱製程。
[12] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體基座的製造方法，其中在進行步驟(d)之後，更包括於該凹槽之底部形成一平坦表面。
[13] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體基座的製造方法，其中在進行步驟(d)之後，更包括於該矽基底的表面上共形地形成一反射層。
[14] 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體基座的製造方法，其中該反射層的材料包括金屬。
[15] 一種發光二極體基座，包括：一矽基底，具有一凹槽，且該凹槽具有一弧形側壁；以及一反射層，覆蓋於該弧形側壁上。
[16] 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體基座，其中該弧形側壁為連續彎曲面或由多個環狀結構所構成。
[17] 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體基座，其中該弧形側壁具有一粗糙表面。
[18] 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體基座，其中該反射層的材料包括金屬。

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法律状态:
2020-08-21| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|

优先权:

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